半导体手册 第4编 晶体二极管和晶体三极管

本书中文题名《半导体手册 第4编 晶体二极管和晶体三极管》，封面题名“晶体二极管和晶体三极管”，为《半导体手册》第4编，由《半导体手册》翻译组译，科学出版社1971年9月第一版、1971年9月第一次印刷。据版权页信息，科学出版社出版地址为北京西直门外三里河路2号，北京市书刊出版业营业许可证出字第061号，中国工业出版社第四印刷厂印刷，新华书店北京发行所发行、各地新华书店经售；开本787×1092 1/32，印张5，字数111,000，统一书号15031·278，本社书号3631·15-7，定价0.38元。卷首有“毛主席语录”，摘录“中国人民有志气，有能力，一定要在不远的将来，赶上和超过世界先进水平”“打破洋框框，走自己工业发展道路”“外国有的，我们要有，外国没有的，我们也要有”以及关于对待外国文化应批判吸收的语录。

据“译者的话”，本书是根据〔日〕半导体手册编委会编《半导体手册》1963年初版本译出。原书内容包括半导体物理学、半导体材料、晶体二极管和晶体三极管的工作原理、晶体二极管和晶体三极管、特种半导体器件、晶体二极管和晶体三极管特性、半导体电路理论、线性放大、振荡、调制与解调、脉冲电路、数字电路、电源、微波电路、参量放大器、数据等16编。本书于1966年已全部译完，因工作量较大未能及时出版；后征求读者意见，认为作为一般了解和查阅半导体电子技术的参考书还应出版，译者遵照“洋为中用”的教导，为适应读者要求又继续进行审查校对，现将其单行出版。译者的话还说明，本书主要特点是将半导体基础知识和应用技术综合汇编在一起的半导体电子技术的资料性参考书，基础知识方面涉及范围较广泛，应用技术方面介绍比较全面，各编重点不一样，仅供读者参考。译者的话同时指出原书主要缺点：有些编内容形式化数学推导较多、物理分析较少；有些编在讲解概念和理论分析上有些模糊；有些编在文字和数字上有错误；有些编为一些资产阶级学术权威和厂商吹嘘、捧场；有些编内容是从别的资料中传抄过来的，未经过实践验证。译校中遵照相关教导加以删节和校正，并说明译校过程中很多工厂、学校、科研单位给予很大支持和热情帮助。

从目录可见，本编共三章。第一章“晶体三极管”，包括点接触型晶体三极管，面结型晶体三极管（生长结系列、合金结系列、扩散结系列），其他类型晶体管（场效应型晶体管、空间电荷管、其他类型晶体管）。第二章“晶体二极管和整流器”，包括氧化亚铜整流器、硒整流器、点接触型晶体二极管（一般点接触型晶体二极管、微波晶体二极管）、金键型晶体二极管、面结型晶体二极管（信号用面结型晶体二极管、整流器）、稳压二极管、晶体二极管电容器（硅可变电容器、参量二极管）、其他类型晶体二极管（辐射计数器二极管）。第三章“负阻元件”，包括单结晶体管、四层二极管、pnpn三端器件（硅pnpn三端器件、半导体开关元件、宽基极pnpn开关、其他半导体开关）、隧道二极管（静态特性等效电路、二极管的制作、隧道二极管的各种特性、其他）、其他（电荷层晶体管、负阻器件、闸流管式晶体三极管、戴士南晶体管、合金结雪崩晶体管、电子“雪崩”注入二极管、半导体脉冲转移元件、雪崩复合低位开关）。书末附参考资料。

正文第一章第一节“点接触型晶体三极管”介绍A型晶体三极管的制作方法：把n型锗锭切成约0.5毫米厚薄片，背面镀锡，用金刚刀切成约1毫米见方小片，焊在黄铜底盘上，用化学药品对锗片表面进行腐蚀处理，然后压进作基极电极的金属圆筒；从酚醛塑料塞中引出两根引线制成发射极和集电极引线；同锗片接触部分用直径0.125毫米的铍铜丝（发射极材料）和磷青铜丝（集电极材料）制成，把尖端磨成楔形，焊接在引线上并用夹具整形；调整触针尖端间隔保持0.01毫米左右，然后压进圆筒另一端，使触针尖端接触晶体表面；再用聚异丁烯等填料把圆筒内填满，以提高机械冲击强度并使晶体表面不受湿度影响；装好后还须进行冶成，通过集电极端沿相反方向通以电流脉冲，对接触部分进行加热，一般利用电容器放电脉冲，用示波器检查每一脉冲下晶体特性，逐渐加强脉冲直到获得良好特性为止。该节还讨论电流放大机构，给出电流放大系数α=γβα*，述及发射极空穴注射效率γ、空穴由发射极到集电极的输运系数β、集电极收集效率α*，并介绍陷阱理论、钩式理论等解释α*特别增大的理论；频率特性部分说明频率极限主要取决于载流子在发射极和集电极间的渡越时间，给出渡越时间表达式，并讨论基极电阻与电极间距离的特性关系。第一章第二节“面结型晶体三极管”述及生长结系列，包括两次掺杂法、生长速率法、回熔法、回熔扩散法、小晶体扩散法、生长扩散法等方法，列有生长型晶体三极管一览表、产品特性示例表，并介绍晶体四极管、生长扩散型晶体三极管等内容，涉及单晶拉制装置、杂质分凝系数、基区宽度、窄条处理、心柱构造、窄条固定、基极引出等工艺细节。本次OCR所见前20页包括封面、版权页、毛主席语录、译者的话、目录及第一章开头部分。本书作为20世纪70年代初翻译出版的半导体器件资料性参考书，反映了当时对日本半导体技术知识的引进和批判性吸收态度，对了解晶体二极管、晶体三极管及负阻元件的类型、结构、制造方法和特性具有资料价值。本次仅见前20页，后续内容待补。