硅半导体工艺数据手册

本书为美国硅半导体工艺数据手册的中译本。据内容简介及版权页，原书系美国1969年出版的《SILICON SEMICONDUCTOR DATA》，由H.F.沃尔夫编，SIGNETICS CORPORATION出版；中译本由天津半导体器件厂翻译，1975年9月由国防工业出版社（OCR封面及版权页作“国防工出版社”，待核）第一版第一次印刷，开本850×1168 1/32，印张17 1/2，插页2，475千字，印数00.001—23.000册，统一书号15034·1405，定价2.80元。内容简介称，本书以图表形式较系统地介绍半导体器件设计和制造中用到的有关硅的一些物理性质的主要数据和公式，主要包括硅的性质、硅中的杂质、硅表面及其结构、一般扩散特性、外延生长、p-n结和二氧化硅特性等；对每幅图均通过题解说明查用方法，内容简单明了，使用方便，可供从事半导体器件设计和制造以及制备半导体材料的工人和技术人员参考。译者序说明，全书共八章，比较系统地介绍半导体器件设计和制造中用到的有关硅的物理性质的主要数据和公式，这些数据系理论设计和实验测试结果，多半刊登于已出版各种期刊，经本书作者搜集整理而成，具有一定参考价值；本书采用图解表达方式，避开烦琐数学公式推导，并有题解，符号、定义已统一，曲线尽可能归一化，并补充附录，便于使用；翻译中对所发现的原书技术性错误作了更正。据目录，全书前有符号表，第一章主要性质摘要，述硅和锗的主要性质、其它半导体材料性质、能带间隙与温度关系、载流子迁移率乘积与能带间隙关系、热导率与温度关系；第二章硅的性质，包括能级、电导率、迁移率、其他电学机械及光学性质、腐蚀特性；第三章硅中的杂质，包括扩散系数、普通杂质特性、金的扩散特性、载流子浓度和杂质浓度等；第四章硅表面及表面结构，包括表面态密度、反型层及耗尽层特性、表面结构的电容和电压关系及其他特性；第五章一般扩散特性，包括固态扩散、通过掩膜窗口的扩散；第六章外延生长，包括外延生长时杂质再分布、亚外延杂质层；第七章p-n结，包括耗尽层特性、电容、结的击穿、扩散电压及其他结特性；第八章SiO₂的特性，包括SiO₂中的扩散系数、氧化特性、硅氧化时杂质再分布、热特性、腐蚀和掩蔽特性、其他性质；附录列重要物理常数、四探针测量、常用溶液成分、单位和坐标转换等。该书以数据图表和题解为特色，反映20世纪60年代末美国硅半导体工艺数据整理成果，中译本服务于当时国内半导体器件设计与制造技术人员，具有工具书和技术史资料价值。本次仅见前20页，后续内容待补。