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书籍简介
本书为1974年9月由长春市1035信箱《坊致发光》编译组编译的《坊致发光》下册。OCR标题作“坊致发光”，正文及目录中多作“场致发光”，据内容可知本书讨论的是场致发光（EL）技术。目录显示全书从第七章起至第十三章，内容系统涉及粉末屏发光波形、EL理论、载流子注入式EL、ZnS单晶EL、蒸发薄膜场致发光、莱塞（激光）以及EL应用等。第七章“粉末屏的发光波形”包括用正弦波激发的发光波形、延迟发光、电流波形、脉冲激发的发光波形与发光机理、用脉冲激发的EL发光机理、发光波形的上升等；第八章“EL理论”包括EL发光区和激发区、在高场下电子的加速、EL的激发机理、碰撞激发机理、发光晶体内的势垒、初电子问题、EL的发光机理、发光机理模型、EL电容特性的计算等；第九章为载流子注入式EL，涉及SiC、ZnS、CdS等材料；第十章为ZnS单晶的EL，讨论发光点观察、势象影响、极化现象、碰撞机理与非碰撞机理；第十一章为蒸发薄膜的场致发光，包括制备方法、亮度、特性、发光波形、发光机构、寿命和发光效率；第十二章为莱塞（激光），包括激光原理、三能级和四能级激光器、产生激光振荡条件、固体激光材料、半导体激光器、GaAs激光器等；第十三章为EL的应用，包括EL板、象加强器、象反转器、墙式电视、电路上的应用和注入式EL的应用。前20页可见第七章全文及第八章开头部分，正文配有大量图表，如图7.1至图7.13、图8.1至图8.6等，讨论正弦波激发下的主峰与次峰、频率和温度对次峰的影响、直流成分、延迟发光、频闪观察器、桥式电路测电流波形、脉冲激发模型、发光波形上升特性等。书中还引用Zalm、Waymouth、Frohlich、Seitz、Franz等研究，涉及ZnS:Cu,Mn,Cl、SiC、CdS、GaAs等材料。本书编译自国外文献，反映1970年代中国在发光学、半导体电子学和激光技术领域的译介状况，对研究当时场致发光理论、实验方法及器件应用具有资料价值。本次仅见前20页，后续内容待补。
书籍资料
机构简介
《坊致发光》编译组为1974年前后设在长春市1035信箱的编译机构，负责本书的编译工作。其成立年份、组织沿革及详细情况未见于OCR前20页。
学术价值
1. 保存1970年代中国关于场致发光（EL）的译编资料，涵盖发光波形、发光理论、材料器件与激光技术，可供半导体发光、电子技术及科技史研究参考。
2. 书中包含大量实验图表、理论模型和材料数据，涉及ZnS、SiC、CdS、GaAs等，对研究早期电致发光与半导体激光器技术具有资料价值。
3. 反映1974年前后国内对国外发光学文献的编译与传播情况，可为当代科技情报史、内部资料出版史研究提供线索。
2. 书中包含大量实验图表、理论模型和材料数据，涉及ZnS、SiC、CdS、GaAs等，对研究早期电致发光与半导体激光器技术具有资料价值。
3. 反映1974年前后国内对国外发光学文献的编译与传播情况，可为当代科技情报史、内部资料出版史研究提供线索。
公版依据
本书出版于1974年9月，不在1911年（含）之前，不适用P0。作者类型为法人作品，署名为《坊致发光》编译组，无个人署名。出版后至2026年已满50年（1974—2026为52年），故判为“是”。
适合人群
半导体发光与电子技术研究者、激光技术研究者、中国科技史与科技情报史研究者，以及对场致发光文献感兴趣的读者。
序文信息
无
目录
- 第七章 粉末屏的发光波形
- 7.1 用正弦波激发的发光波形
- 7.2 延迟发光
- 7.3 电流波形
- 7.4 脉冲激发的发光波形与发光机理
- 7.5 用脉冲激发的EL的发光机理
- 7.6 发光波形的上升
- 第八章 EL理论
- 8.1 EL发光区和激发区
- 8.2 在高场下电子的加速
- 8.3 EL的激发机理
- 8.3.1 碰撞激发机理
- 8.3.2 发光晶体内的势垒
- 8.3.3 初电子问题
- 8.4 EL的发光机理
- 8.4.1 发光机理模型
- 8.4.2 EL电容特性的计算
- 第九章 载流子注入式EL
- 9.1 SiC
- 9.2 ZnS
- 9.2.1 ZnS的注入式EL
- 9.2.2 Si的注入式EL
- 9.3 CdS
- 第十章 ZnS单晶的EL
- 10.1 发光点的观察
- 10.2 势象的影响
- 10.3 极化现象
- 10.4 碰撞机理与非碰撞机理
- 第十一章 蒸发薄膜的场致发光
- 11.1 蒸发薄膜的制备方法
- 11.2 蒸发薄膜的亮度
- 11.3 蒸发薄膜的特性
- 11.4 薄膜EL屏的发光波形
- 11.5 薄膜EL屏的发光机构
- 11.6 寿命和发光效率
- 第十二章 莱塞（激光）
- 12.1 激光原理
- 12.1.1 激光的特征
- 12.1.2 三能级激光器
- 12.1.3 四能级激光器
- 12.1.4 产生激光振荡的条件
- 12.1.5 激光器的实际模型
- 12.2 固体激光材料
- 12.3 半导体激光器
- 12.3.1 特征
- 12.3.2 半导体激光器的机构
- 12.3.3 直接跃迁和间接跃迁
- 12.4 GaAs激光器
- 12.4.1 GaAs激光元件的制备
- 12.4.2 GaAs p-n结的特性
- 第十三章 EL的应用
- 13.1 EL板
- 13.1.1 EL板的老化
- 13.1.2 亮度的单位
- 13.1.3 EL板的应用
- 13.2 象加强器
- 13.3 象反转器
- 13.4 墙式电视
- 13.5 在电路上的应用
- 13.6 注入式EL的应用
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