半导体器件产品手册

本书是北京市双桥半导体器件厂于1972年编印的《半导体器件产品手册》，属于特定历史时期的地方半导体器件产品技术资料。手册开头设有“参数符号说明”，分为极限参数、直流参数、交流参数和开关参数四部分，系统解释了三极管技术参数的含义与测试条件。其中极限参数包括发射极开路时集电极—基极反向击穿电压 BVcbo、集电极开路时发射极—基极反向击穿电压 BVEBO、基极开路时集电极—发射极反向击穿电压 BVCEO、基极—发射极短路时集电极—发射极反向击穿电压 BVCES、基极—发射极联接规定电阻时集电极—发射极反向击穿电压 BVCER，以及集电极最大允许电流 ICM、发射极最大允许电流 IEM、额定耗散功率 PCM、晶体管热阻 RT、最大允许结温 TJM 等。直流参数包括发射极开路时集电极—基极反向截止电流 ICBO、共发射极集电极饱和压降 VCF(sat)、共发射极正向饱和压降 VBE(sat)、共发射极静态正向电流放大系数 hFE 等。交流参数包括共基极截止频率 fab、共发射极短路电流放大系数频宽乘积即特征频率 fT、共发射极小讯号短路正向电流传输比 hfc、共基极输出电容 Cob、集电极—基极时间常数 rbb′Cc、共发射极功率增益 Kpc、噪声系数 NF 等。开关参数列有超量存贮电荷 Qs。这些符号说明为使用者查阅后续器件参数表提供了统一的技术语言。

手册主体按器件类型分类列出产品技术性能。首先介绍“锗 PNP 中频小功率三极管”，用途为低中频放大、振荡及低噪声低频放大，列出 3AG31、3AG32 两种型号的直流参数与交流参数，并给出极限参数、测试条件和外形图。随后介绍“锗 PNP 中频小功率三极管”的 3AG31H、3AG32H 等型号，用途为中低频放大、振荡及低噪声中低频放大。再列 3AG46、3AG47 等中频小功率三极管。之后是“锗 PNP 高频小功率三极管”，用途为中、高、超高频放大、振荡、变频，依次列出 3AG33、3AG34、3AG35、3AG36、3AG37，以及 3AG41、3AG42、3AG43、3AG44、3AG45，再列 3AG41H、3AG42H、3AG48、3AG49、3AG50，以及 3AG75、3AG76、3AG77 等型号。最后出现“锗 PNP 中频小功率三极管”3AG73，用途为中低频功率放大。每个型号均以表格形式列出 ICBO、hfe、fab 或 fT、NF、Cob、Kpe 等交流参数，以及 BVCBO、BVEBO、BVCER 或 BVCES、ICM 或 IEM、PCM、RT、TjM、Ts 等极限参数，并注明测试条件与外形图编号。手册内容紧凑，数据具体，反映了20世纪70年代初中国地方半导体器件厂的产品系列、参数体系和测试规范。

从版本特征看，本书为1972年编印的厂编产品手册，非公开出版物，带有明显的内部技术资料性质，但内容属于电子元器件技术参数，不涉及政治敏感或保密内容。其文献价值在于保存了3AG系列锗PNP晶体管的详细技术数据，对研究中国早期半导体工业发展、地方电子企业产品结构、电子元器件标准化进程以及20世纪70年代电子技术水平具有参考意义。读者对象主要为电子工程技术人员、半导体器件使用者、电子设备维修人员、科技史与工业史研究者。本次仅见前20页，后续内容待补。