半导体光学性质

本书为半导体光学性质专著的中译本，T.S.莫斯（T. S. Moss）著，鲍友恭、何宜生等译，上海科学技术出版社1963年3月第1版、1963年3月第1次印刷，开本850×1168 1/32，印张9 6/32，排字字数215,000，印数1—6,000，统一书号13119.495，定价1.55元，上海市印刷四厂印刷，新华书店上海发行所发行。原书为Butterworths Scientific Publications 1959年出版的OPTICAL PROPERTIES OF SEMI-CONDUCTORS。内容提要说，本书是专论半导体光学性质的参考用书，全书分十六章，前六章对光学性质作一般性讨论并介绍有关理论，后十章对各种具有光学性质的半导体材料作具体介绍；作者根据大量专著论文编成，内容丰富是其特点；可供物理学特别是电子学方面进行研究、学习和生产时参考。内容提要还列明本书由何宜生、袁长江、金世璜、陈遥、郑慕周、郑步京、胡文伟、黄永藻、曾绍箕、鲍友恭、谢宝树合译，何宜生、鲍友恭校。作者序言说明，近数年来有志从事半导体工作的科研和工业生产人员日益广泛，有关半导体各方面的论著不断增加，文献急须整理汇编以显示已取得成就；有关半导体的书籍尚较少且偏于一般叙述，某些内容已有新的发展，更须专门书籍详细介绍，因此编了这本册子。序言称本书约百分之四十探讨导电媒质光学性质的理论、吸收及发射过程、光学常数的内在关系、磁光效应以及所有内光电效应，其余百分之六十介绍许多最常用半导体的性质；半导体技术日新月异，本书内容力求新颖，最主要几章第一次成稿于1958年，后又修订全部章节，并包括1958年8月国际半导体委员会在Rochester会议决定的若干重要结论；本书主要供从事半导体科学研究或工厂工作的技术人员，以及希望提高专业知识、不久将从事半导体专业工作的优秀学生参考。目录显示全书十六章：第一章导电媒质光学性质的理论，包括波的传播、导电表面的行为、空气-导体分界面的反射率、导电表面的折射、光的干涉现象及n和k的测量；第二章色散理论，包括电介质、光学常数的Argand图、吸收和反射率的理论变化、光学常数的内在关系、金属或自由载流子的吸收；第三章半导体中的吸收过程，包括直接和间接光学跃迁、吸收及反射光谱特征、吸收限的压力和温度依赖关系、吸收限的杂质浓度关系、磁场引起的吸收限移动、本征激子吸收、禁带和其他物理参量相互关系、局部杂质吸收、红外吸收带、振动晶格吸收带；第四章光电效应，包括内光电效应、Dember效应或光扩散效应、光电磁效应、光机效应或光动势、p-n结中的光效应；第五章磁光效应，包括法拉第效应、回旋加速共振、振荡磁光效应；第六章半导体辐射的发射，包括复合辐射、复合辐射光谱分布、间接和直接复合、场致发光、光电发射、半导体热辐射发射；第七至十六章分别介绍硼、金刚石、硅、锗、硒、碲、其他元素、硫化铅硒化铅碲化铅、锌镉汞的硫属元素化合物、锑化铟和其他III-V族化合物；书末附录A过渡层理论、附录B光学常数内在关系、附录C强照度下的光电导，并有参考文献和索引。本次所见前20页包含内容提要、版权页、作者序言、目录及第一章前一部分。第一章从麦克斯韦场方程出发，讨论导电媒质中电磁波传播、复数折射率N=n−ik、吸收系数K=2ωk/c=4πk/λ、导电表面反射与折射、斯涅耳定律和菲涅耳方程、垂直入射反射率、空气-导体分界面反射率、布儒斯特角附近反射极小值、反射偏振测量求n和k、棱镜折射测量以及平行薄板干涉条纹测量折射率等内容。本书为1960年代半导体光学专门译著，保留原书序言、十六章目录、公式推导、图表和附录，可供研究半导体光学理论、半导体材料光学性质及新中国科技翻译出版。本次仅见前20页，后续内容待补。