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INTRODUCTION TO THE PHYSICS OF ELECTRONICS
| OB | 46001344 |
|---|---|
| 作者 | 未署名（前20页未见作者署名，待查） |
| 出版社 | — |
| 出版年 | 1974 |
| 版本 | 1974年版（前20页未见版权页，待核） |
| 时期 | 1950—1979 |
| 大类 | 自然科学 |
| 详细分类 | 自然科学·物理（电子物理/半导体物理） |
| 是否公版 | 待确认 |
| 页数 | 419 页 |
| 容量 | 25.6 MB |
| 文件 MD5 | af5527733d9519a1b337caeb4ff0ce4a |
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书籍简介
本简介由 AI 基于公版文献结构化整理生成，仅供阅读参考。
本书为《INTRODUCTION TO THE PHYSICS OF ELECTRONICS》（电子物理学导论），据源文件名出版年为1974年。前20页可见目录、Preface（前言）、第1章“Introduction”（导论）全文及第2章“Elements of Equilibrium Statistical Mechanics”（平衡统计力学基础）开头，尚未见版权页和作者署名，故作者、出版者、版次、印数等版本信息待核。从目录看，全书共十二章并附附录。第1章导论讨论电子元件与器件的建模、直流电路中的非线性器件、交流电路中的非线性器件以及集成电路。第2章平衡统计力学基础讨论统计物理、分布函数的性质以及热力学平衡中经典系统的分布。第3章非平衡统计物理讨论唯象关系、动力学方程、碰撞、电导率与迁移率、扩散、实验数据以及涨落与噪声。第4章电子束与等离子体电子学讨论电子束、空间电荷限制电流、等离子体与鞘层及接触电势、偏置鞘层、双极扩散、等离子体振荡。第5章量子力学基础讨论波粒二象性、薛定谔方程、自由态与势垒、波包、束缚粒子、量子统计。第6章固体中的电子讨论固体的能带理论、周期势中的电子、赝经典描述、真实晶体。第7章金属讨论电子发射和接触电势。第8章半导体讨论杂质与外征半导体、电子与空穴、半导体中的电流、体半导体器件、金属—半导体接触。第9章半导体结讨论p-n结、平衡p-n结、偏置p-n结、结的I-V特性、反向击穿、p-n结噪声、p-n结二极管、微波二极管、光学二极管。第10章多结器件讨论双极结型晶体管和四层器件。第11章场效应器件讨论结型场效应晶体管、MOS电容器、金属—氧化物—半导体场效应晶体管、电荷耦合器件。第12章集成电路讨论集成电路工艺、单片硅集成电路、薄膜集成电路、混合集成电路。附录包括常数、硅和锗在室温下的性质以及部分习题答案。
Preface说明，本书是导论，介绍自然界中已被工程师用来创造有用电子器件的物理过程，强调基本过程与常见器件导电特性之间的关系，使工程师不仅理解器件的典型工作，也理解其固有能力和局限。前言指出，本书主要关注非线性器件，包括无源二极管开关和有源放大器如结型与场效应晶体管，而非线性无源元件如电阻、电容和电感；非线性器件的电流—电压关系复杂且关键取决于内部物理过程，通常难以用非线性方程表达，工程上借助电流—电压特性曲线和计算机数值分析来处理。第1章正文从电子电路使用大量元件和多种互连来完成信号处理谈起，举例说明低通滤波器、放大器以及无源和有源元件的作用；指出每个元件或器件以其导电特性为特征，即描述施加电压与流过电流之间关系的特性，可用I-V关系建立模型；在集成电路中，器件端子可能无法接触测量，此时建模完全依赖对导电过程物理知识的理解。第1章还讨论理想开关与理想二极管、典型p-n结二极管的实际I-V特性、理想放大器与典型晶体管共射输出特性、电阻的高频模型、直流电路中的负载线分析、交流电路中的低频与高频信号响应以及集成电路的概念，强调理解器件内部物理过程对建立小信号等效电路和认识器件限制的重要性。第2章从统计力学角度指出，电子器件和物理系统由极大数量的微小原子组成，系统的宏观性质只取决于所有组成粒子的平均行为，而非每个粒子的瞬时细节，并以掷骰子和人口年龄分布为例说明宏观态与微观态、最可几宏观态等概念。总体而言，本书以物理过程为基础，从统计力学和量子力学出发，经固体电子学、半导体、结型器件、多结器件、场效应器件到集成电路，构成较完整的电子物理教材体系。本次仅见前20页，后续内容待补。
Preface说明，本书是导论，介绍自然界中已被工程师用来创造有用电子器件的物理过程，强调基本过程与常见器件导电特性之间的关系，使工程师不仅理解器件的典型工作，也理解其固有能力和局限。前言指出，本书主要关注非线性器件，包括无源二极管开关和有源放大器如结型与场效应晶体管，而非线性无源元件如电阻、电容和电感；非线性器件的电流—电压关系复杂且关键取决于内部物理过程，通常难以用非线性方程表达，工程上借助电流—电压特性曲线和计算机数值分析来处理。第1章正文从电子电路使用大量元件和多种互连来完成信号处理谈起，举例说明低通滤波器、放大器以及无源和有源元件的作用；指出每个元件或器件以其导电特性为特征，即描述施加电压与流过电流之间关系的特性，可用I-V关系建立模型；在集成电路中，器件端子可能无法接触测量，此时建模完全依赖对导电过程物理知识的理解。第1章还讨论理想开关与理想二极管、典型p-n结二极管的实际I-V特性、理想放大器与典型晶体管共射输出特性、电阻的高频模型、直流电路中的负载线分析、交流电路中的低频与高频信号响应以及集成电路的概念，强调理解器件内部物理过程对建立小信号等效电路和认识器件限制的重要性。第2章从统计力学角度指出，电子器件和物理系统由极大数量的微小原子组成，系统的宏观性质只取决于所有组成粒子的平均行为，而非每个粒子的瞬时细节，并以掷骰子和人口年龄分布为例说明宏观态与微观态、最可几宏观态等概念。总体而言，本书以物理过程为基础，从统计力学和量子力学出发，经固体电子学、半导体、结型器件、多结器件、场效应器件到集成电路，构成较完整的电子物理教材体系。本次仅见前20页，后续内容待补。
书籍资料
作者简介
学术价值
1. 本书从统计力学、量子力学和固体物理出发，系统讨论电子器件的物理基础，涵盖半导体、p-n结、晶体管、场效应器件和集成电路，可供研究电子物理、半导体物理和20世纪70年代电子工程教育参考。
2. 前20页保留完整目录、Preface和第1章正文，涉及器件建模、I-V特性、负载线分析、小信号等效电路、集成电路概念等，对考察当时电子物理教材的知识结构和叙述方式具有资料价值。
3. 目录显示本书将物理基础与器件应用相结合，从平衡/非平衡统计物理、量子力学到金属、半导体、结型器件和集成电路，结构完整，可作为电子物理课程和教材史研究的参考线索。
2. 前20页保留完整目录、Preface和第1章正文，涉及器件建模、I-V特性、负载线分析、小信号等效电路、集成电路概念等，对考察当时电子物理教材的知识结构和叙述方式具有资料价值。
3. 目录显示本书将物理基础与器件应用相结合，从平衡/非平衡统计物理、量子力学到金属、半导体、结型器件和集成电路，结构完整，可作为电子物理课程和教材史研究的参考线索。
公版依据
本书出版于1974年，属1912年之后出版的著作。前20页未见个人作者署名，暂按法人作品考虑；若按法人作品规则，出版后已满50年（1974年至处理年份2026年已满50年），可判“是”。但前20页未见版权页，无法确认本书是否确为无个人署名的法人作品，也无法排除后续页存在个人署名、编者或序言作者的可能。按从严原则，本书作者类型和贡献者情况尚待核实，故公版暂判为“待确认”；待确认作者署名及版权页信息后，再按P1或P2规则重新判定。
适合人群
适合电子物理、半导体物理、微电子学、电子工程、物理学史及科学文献版本研究者参考，也可供相关专业高年级学生和工程技术人员查阅。
序文信息
有Preface（前言），说明本书是导论，介绍自然界中已被工程师用来创造有用电子器件的物理过程，强调基本过程与常见器件导电特性之间的关系；本书主要关注非线性器件（如二极管开关和有源放大器）的工作特性，而非线性无源元件；指出非线性器件的电流—电压关系复杂且依赖内部物理过程，工程师借助图形显示和计算机数值分析来处理；第1章旨在为全书定位，说明理解电子学物理过程对器件制造者和使用者都很重要
目录
Contents
Preface
1 INTRODUCTION
1-1 Modeling Electronic Elements and Devices
1-2 Nonlinear Devices in d.c. Circuits
1-3 Nonlinear Devices in a.c. Circuits
1-4 Integrated Circuits
2 ELEMENTS OF EQUILIBRIUM STATISTICAL MECHANICS
2-1 Statistical Physics
2-2 Properties of the Distribution Function
2-3 Distributions for Classical Systems in Thermodynamic Equilibrium
3 NONEQUILIBRIUM STATISTICAL PHYSICS
3-1 Phenomenological Relations
3-2 The Kinetic Equation
3-3 Collisions
3-4 Conductivity and Mobility
3-5 Diffusion
3-6 Experimental Data
3-7 Fluctuations and Noise
4 ELECTRON BEAMS AND PLASMA ELECTRONICS
4-1 Electron Beams
4-2 Space-Charge Limited Current
4-3 Plasma, Sheaths, and the Contact Potential
4-4 Biased Sheaths
4-5 Ambipolar Diffusion
4-6 Plasma Oscillations
5 ELEMENTS OF QUANTUM MECHANICS
5-1 Wave-Particle Duality
5-2 Schrödinger's Equation
5-3 Free States and Potential Barriers
5-4 Wave Packets
5-5 Bound Particles
5-6 Quantum Statistics
6 ELECTRONS IN SOLIDS
6-1 The Band Theory of Solids
6-2 Electrons in a Periodic Potential
6-3 The Pseudoclassical Description
6-4 Real Crystals
7 METALS
7-1 Electron Emission
7-2 Contact Potentials
8 SEMICONDUCTORS
8-1 Impurities and Extrinsic Semiconductors
8-2 Electrons and Holes
8-3 Current in Semiconductors
8-4 Bulk Semiconductor Devices
8-5 Metal-Semiconductor Contacts
9 SEMICONDUCTOR JUNCTIONS
9-1 The p-n Junction
9-2 The p-n Junction in Equilibrium
9-3 The Biased p-n Junction
9-4 The I-V Characteristic of the Junction
9-5 Reverse Bias Breakdown
9-6 Noise in p-n Junctions
9-7 The p-n Junction Diode
9-8 Microwave Diodes
9-9 Optical Diodes
10 MULTIJUNCTION DEVICES
10-1 Bipolar Junction Transistor
10-2 Four-Layer Devices
11 FIELD-EFFECT DEVICES
11-1 The Junction Field-Effect Transistor
11-2 MOS Capacitor
11-3 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
11-4 Charge-Coupled Devices
12 INTEGRATED CIRCUITS
12-1 Technology of Integrated Circuits
12-2 Monolithic Silicon Integrated Circuits
12-3 Thin-Film Integrated Circuits
12-4 Hybrid Integrated Circuits
APPENDICES
A Constants
B Properties of Silicon and Germanium at Room Temperature
C Answers to Selected Problems
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